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第三代半导体晶圆磨削套件
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产品描述
第三代半导体材料磨削加工专用静压主轴和静压承片台，具有比气浮主轴更高刚性，更好的减振特性。适合于碳化硅晶圆的磨削加工。
技术特点：
1. 采用静压轴承+气浮轴承，可靠性更高；
2. 气浮轴承兼具密封功能，密封气流开启时液压油无泄漏；
3. 采用水溶性液压油，可用纯水清洗；
4. 转台台面直径250毫米，配备真空吸盘后可用于12吋Sic晶圆磨削；
5. 高刚度：主轴轴向刚度大于1000 N/µm，转台轴向刚度大于3000 N/µm；
6. 高精度：主轴、转台轴向/径向回转精度< 0,25µm；
7. 具备优秀的减振特性，成品率更高 ；
8. 静压轴承无磨损，机床精度长期保持；
9. 静压轴承采用专利的PM流量控制器调节油腔流量，高承载，高刚度 。
|
|
静压主轴 |
静压转台 |
|
供油压力 |
50 bar |
50 bar |
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液压油粘度 |
HLP-PAO 5 |
HLP-PAO 46 |
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最高转速 |
4000 rpm |
600 rpm |
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最大径向承载 |
1.000 N |
1.000 N |
|
最大轴向承载 |
+/- 1000 N |
1000 N |
|
径向油膜刚度 |
450 N/µm |
600N/µm |
|
轴向油膜刚度 |
1000 N/µm |
3000N/µm |
|
液压油流量30°C |
3-8 l/min |
1.7 l/min |
上一个
静压外圆磨削主轴
